上海萱鸿电子技有限公司：

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功率半导体的栅极电阻选型，一般有两个优化目标。一方面，选择电阻值较小的栅极电阻，可以使得功率半导体的开关速度更快。这将降低开关损耗，从而降低总体损耗。另一方面，选择较大的栅极电阻可以降低开关速度，比如dvCE/dt或diC/dt。这可使栅极电路中发生的由寄生杂散电感或耦合电容引起的振荡减少。因此，必须通过折中的办法实现门极电阻的化配置。然而，只需管理特定的工况点（如临时过载或轻载条件）就已足够。这些条件的开关速度比应用系统正常运行时更慢。
电机驱动在低负荷条件下运行是典型的轻载条件。由于来自二极管的换向电流很小所以流入IGBT的正向电流也很小，在对应的IGBT开通速度太快时，可能造成严重振荡。如果正向电流能达到标称电流[1]的25%或以上，则这些振荡可以被大幅度地减弱甚至消除。
推荐的栅极驱动概念
正常的栅极驱动电路，一个栅极驱动器的开通电流和关断电流大小取决于栅极电阻的栅极电流。电流iOUT+给功率晶体管的栅极充电，而电流iOUT-给功率晶体管的栅极放电。

每个功率晶体管配合两个栅极驱动器，再加上独立的开通/关断电阻，可以作为改进功率晶体管性能的简单方法。只需使用两颗栅极驱动芯片，即可实现开通电流能力或关断电流能力的改进。而且，相比使用功能相同的分立式解决方案，使用栅极驱动芯片还可减轻设计工作负担。只需遵循常规设计准则，即可获得开通能耗Eon多降低25%和开通电流能力获得改进的益处。因此，推荐的栅极驱动概念比常规解决方案的表现更胜一筹。