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英飞凌IGBT模块FZ1200R17KF4C
英飞凌IGBT模块FZ1200R17KF4C
产品价格:¥8888
上架日期:2024-07-18 14:56:30
产地:德国
发货地:北京
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详细说明

    英飞凌IGBT模块FZ1200R17KF4C

    北京京诚宏泰科技有限公司销售英飞凌IGBT模块FZ1200R17KF4C

    产品详细信息
    InfineonFZ1200R17KF4C单开关 IGBT 模块配有 TRENCHSTOP ™ IGBT3和发射器控制的 3 二极管。此模块具有高功率密度和 AlSiC 基板,用于提高热循环能力。
    VCES 为 1700 V
    IC 标称值为 1200 A
    ICRM 为 2000 A
    它可保持高电流密度

    产品特征描述:

    1. 提高工作温度Tvj op
    2. 低开关损耗
    3. 低 VCEsat
    4. Tvj op = 150°C
    5. 4 kV 交流 1 分钟绝缘
    6. 封装的 CTI > 400
    7. 高爬电距离和电气间隙
    8. 铜基板
    9. UL 认证

    产品优势:

    • 高功率密度
    • 标准封装

    IGBT是什么?
    IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
    IGBT与MOSFET的对比
    MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
    北京京诚宏泰科技有限公司销售英飞凌IGBT模块FZ1200R17KF4C
    优点:热稳定性好、安全工作区大。
    缺点:击穿电压低,工作电流小。
    IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
    北京京诚宏泰科技有限公司销售英飞凌IGBT模块FZ1200R17KF4C
    特点:

    击穿电压可达1200V,集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。
    IGBT的典型应用
    电动机
    不间断电源
    太阳能面板安装
    电焊机
    电源转换器与反相器
    电感充电器
    电磁炉

    北京京诚宏泰科技有限公司销售西门子SIEMENS

    6SL3912、6SL3983、6SB2071、6SL3955、6SL3995、避雷器、互感器、电容、晶闸管、IGBT、驱动板
    中压变频备件器、电源、操作面板、隔离开关、风机及其他系列;GH180罗宾康A1A/ASE((电路板、控制板、模块)、LDZ(功率单元、模块、互感器)等
    变频器等备件 北京京诚宏泰科技有限公司
    产品备件;
    6SE70变频器:6SE70驱动/功率/接口板、6SY7000电容、6SY7010晶闸管
    SIEMENS 北京京诚宏泰科技有限公司
    M440/M430变频器及备件;
    低压传动
    S120变频器:IGD A5E控制板﹔6RA直流调速器:6RA80、6RX、6RY17/18等备件。
    工业通讯及 北京京诚宏泰科技有限公司
    A5EO8混合电缆;LDS备件A5E002/003等系列;
    分析仪 北京京诚宏泰科技有限公司
    电源产品
    6EP19、6EP13、A5E30947477、A5E31006890、6EP1536-3AA00等系列;
    低压电器
    3TC4、3TH4、3RA6、3UG4、3RP2、3RS1、3RN2、3RQ、3RB等系列;
    6BK、6DD、6DL、6DP及西门子各类系统软件等备件;
    其他类


    ABB变频器配件 晶闸管可控硅 传感器 电容 IGBT IGCT 流互感器(ES2000、ESM2000)、

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    北京京诚宏泰科技有限公司
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