赛米控IGBT模块SKIIP2414GB17E4-4DUK1262西门康IPM模块

北京京诚宏泰科技有限公司销售供应赛米控IGBT模块SKIIP2414GB17E4-4DUK1262西门康IPM模块

SKiiP 2414 GB17E4-4DPVW V2
SKiiP 2414 GB17E4-4DPVL V2
SKiiP 2414 GB17E4-4DUHP

SKiiP 2414 GB17E4-4DUK310

SKIIP2414GB17E4-4DUK1262

SKiiP3614GB17E4-6DUK311

SKIIP2414GB17E4-4DUK1262是一款风电 光伏新能源 逆变器 变频器智能IGBT模块

SkiiP® 4 IGBT模块的设计和性能。新型IGBT模块中采用无基板的直接铜键合 (DBC) 概念，配备高性能冷却器（散热片）。这样一来，由四个半桥组成的功率模块SKiiP2414GB17E4-4DUHP的电流开断能力提高了25%，能在1700 V的电压条件下轻松开断IGBT上明显高于2400 A的电流

SKiiP 2414 GB17E4-4DUW V2

2XSKIIP1013GB172-2DFK0108
SKIIP1013GB172-2D

SKiiP2414GB17E4-4DUK310

SKiiP模块产品特点 北京京诚宏泰科技有限公司销售赛米控IGBT模块SKIIP2414GB17E4-4DUK1262

4合1：功率IPM  驱动器、功率半导体、高精度电流传感器和高性能冷却风冷或水冷（HPC）
完全组装和老化测试
高功率密度
采用了烧结技术，功率循环能力提高了2-3倍(SKiiP 4)
性能比传统水冷却器高25%。用于SKiiP 4的高性能冷却（HPC），单侧和双侧安装在HPC水冷器上
来自赛米控高度集成的IPM-IGBT模块--北京京诚宏泰科技有限公司
SKiiP（SEMIKRON智能功率模块）将IGBT模块，驱动和散热集于一身。生产结束后的全性能测试（包括一个小时的老化测试）确保了应用的高可靠性。 北京京诚宏泰科技有限公司销售供应SKIIP2414GB17E4-4DUK1262
SKiiP IPM 1200V和1700V产品系列为高性能和高可靠的逆变器设计树立了基准。 SKiiP 3和SKiiP 4均具有高功率密度，并结合了灵活的散热选项（风冷或水冷）以及定制的散热器。集成了电流传感器和全功能保护的可靠驱动技术完善了IPM的设计。
SKiiP 3在工业传动领域得到广泛应用。凭借其全桥或半桥拓扑，它涵盖了从500A到2400A的电流范围。
SKiiP 4具有半桥拓扑结构，并根据 功率循环要求进行了优化，涵盖了高达3600A的电流范围。
SKiiP模块 的关键特性
集成驱动、功率模块和散热器
集成温度测量
集成精准的电流传感器
集成直流母线监测
SKiiP4包含可配置和读取的CAN总线
免焊接的烧结技术SKiiP 4
SKiiP IGBT模块 的优势 北京京诚宏泰科技有限公司
得益于银烧结和高性能冷却器技术，SKiiP提高了对苛刻的电源循环条件的可靠性。与传统的焊接方法相比，烧结技术延长了工作寿命，提高了对主动和被动热循环的弹性。
SKiiP 4数字驱动器降低了设计复杂性也减少了昂贵元件的使用，它保证了开关信号和参数测量的安全隔离。除了高可靠性设计，SKiiP 4驱动器还包括CAN-bus功能。
SKiiP IPM产品系列为高性能和稳健的逆变器设计树立了一个基准。SKiiP 3和SKiiP 4都具有高功率密度，结合灵活的冷却选项，如风冷和水冷却或定制的散热器。可靠的驱动技术、集成的电流传感器和全面的保护功能完善了IPM的设计。北京京诚宏泰科技有限公司销售赛米控IGBT模块SKIIP2414GB17E4-4DUK1262
SKiiP 3在工业驱动领域得到了广泛的推广。凭借其三相全桥和半桥拓扑结构，它涵盖的电流范围从500A到2400A。
SKiiP 4采用半桥拓扑结构，它已针对 功率循环要求进行了优化，涵盖了高达3600A的更高功率范围。它是市场上智能电源模块

SKiiP1803GB172-3DW V3

IGBT  北京京诚宏泰科技有限公司销售供应赛米控IGBT模块SKIIP2414GB17E4-4DUK1262西门康IPM模块

IGBT是什么？
IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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IGBT与MOSFET的对比
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
优点：热稳定性好、安全工作区大。
缺点：击穿电压低，工作电流小。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。
特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
IGBT的典型应用
电动机
不间断电源
太阳能面板安装
电焊机
电源转换器与反相器
电感充电器
电磁炉
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SKiiP1213GB123-2DW V3
SKiiP1813GB123-3DL V3
SKiiP1813GB123-3DW V3
SKiiP2413GB123-4DL V3
SKiiP2413GB123-4DW V3
SKIIP1013GB172-2DK0203
SKiiP1814GB12E4-3DUL
SKiiP1814GB12E4-3DUW
SKiiP2414GB12E4-4DUL
SKiiP2414GB12E4-4DUW
SKiiP3614GB12E4-6DUL