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发布者:facexh001  发布时间:2024-04-25 17:34:40
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将动力传动系统集成到紧凑的机械外壳中,可以生产出更实惠、更高效的电动汽车 凭借其低开关功率损耗,GaN FET可以胜任这个工作 对于EV动力系统而言,GaN FET解决方案将使功率密度加倍,同时通过集成栅极驱动器将尺寸减小约60%,开关速度高达2.2MHz 
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这个谐振电流,iQN(t)是由以下公式给出的  5 WR6 IGBT(IKWH30N65WR6)和TRENCHSTOP#8482  IGBT3(IGW30N60H3)在CCM-boost PFC电路中的工作波形,证明了这种现象 IKWH30N65WR6包含一个集成在IGBT芯片中的反向导电的二极管,而后者的IGBT不包含反向导电的二极管 
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YDD-U-V3-P2-03 变送器 宝安区小学工程后者可以包括上述部分或全部附加功能,如图8电子保险丝框图所示 此外,IC解决方案体积较小,经过充分特征化的性能更稳定,并能以更低的成本做到"安心"实施,这是多器件解决方案无法实现的 值得注意的是,TPS26620规格书中提供了几十张性能图和时序图,涵盖了各种工作条件,这些都是分立式"制造"方式难以提供的 
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