STB系列高频、高脉冲电容器 | |||||
缓冲线路,可控硅整流线路,开关电源保护线路。 IGBT,MOSFET突波吸收 。 | |||||
高电压,高脉冲,高du/dt | |||||
材料特性 | |||||
电容结构: | 双层金属化膜,内部串联结构 | ||||
封装: | 阻燃塑胶外壳,环氧树脂封装,符合(UL94V-0 )标准. | ||||
尺寸: | 适合于各种IGBT保护 。 | ||||
(可按客户需求定制特殊规格) | |||||
电气特性 | |||||
电容量: | 0.001 to 1.5μF, 参考表格数据 | ||||
额定电压: | 700 to 2000 Vdc | ||||
损耗角正切: | 测试条件 1000±20 Hz , 25±5℃. | ||||
Cr≤1.0μF, 4×10-4; Cr>1.0μF, 6×10-4 | |||||
绝缘电阻: | 3000s,s= MΩ. μF 测试条件 1 minute,100Vdc (25±5℃) | ||||
耐电压: | 1.8Ur (DC)测试条件 2s,t 25±5℃,1Min | ||||
工作温度: | -40~+85℃ |