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分子束蒸发源SOURCE-1250用于在超高真空中制备MBE生长的薄膜
分子束蒸发源SOURCE-1250用于在超高真空中制备MBE生长的薄膜
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上架日期:2022-08-19 14:01:48
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详细说明
    分子束蒸发源SOURCE-1250用于在超高真空中制备MBE生长的薄膜 


    分子束蒸发源SOURCE-1250特点简介:
    分子束蒸发源,用于在超高真空中制备MBE生长的薄膜 
    开放式蒸发源,它的设计是为了尽量减少分子束 辐射时的气体排放 
    安装法兰盘:ICF070·114等
    温度控制:通过PID控制Max1250




    分子束蒸发源SOURCE-1250规格:
    (1) 坩埚容量:约10cc(唇边约15mm x 57mm)
    (2) 坩埚材料PBN
    (3) 加热器 高纯度Ta线盘绕
    (4) 侧面反射器 5层 高纯度Ta
    (5) 加热元件支撑底座 高纯度Mo
    (6) 热电偶Pr13
    (7) 加热元件的外部形状为φ35X50mm
    (8) 工作温度范围300°C至1250°C
    (9) 百叶窗的开/关由微型法兰盘旋转导入机完成(标准手动:空气驱动是可选的)
    (10) 安装法兰114CF (4.5 "CF)
    (11) 加热电源 1KW直流电源,有电流和电压限制
    (12) 温度控制器:PID控制方式RT~1800°C,控制精度0.1°C
    (13) 烘烤温度:250°C(拆除电缆和空气驱动装置后)



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