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     FUJI富士IGBT模块2MBI1400VXB-170P-54量大从优，  FUJI富士电机作为IGBT硅片生产领先厂家,最早将IGBT模块引入中国。经过十几年的不断发展,半导体器件已在国内UPS、电镀电源、变频器领域得到了广泛应用，已成为经典使用器件。IGBT的下一代SiC(碳化硅)，日本更领先的技术是碳化硅。丰田曾经公开表示：SiC具有与汽油发动机同等的重要性。从上世纪80年代开始，丰田就在研究SiC，比国际同行提前30年。是什么原因让丰田这么重视碳化硅呢?毕竟目前SiC材料的成本据估算是IGBT的8-10倍。因为碳化硅是一个更先进的做控制器的电力电子芯片，可以通过大幅度提高电机的转速实现电机比功率的升高，它的频率和效率可以做到很高、体积可以非常小，比现在的IGBT要减少大概70—80%。参照美国能源部2025年目标，电机的功率密度是50千瓦/升，碳化硅控制器是100千瓦/升。碳化硅还具有在高频率时损耗低的优势，能将车辆的效率再提高10%左右，这还意味着续航里程可以得到同样的提升，电池成本有可能大幅下降。在应用方面，特斯拉Model3使用的控制器就是碳化硅，比亚迪也宣布已投入巨资布局第三代半导体材料SiC。此外，国内还有多家团队开始产业化。

估阳明高院士估计，到2025年会碳化硅将全面取代IGBT。这个时间表，中国将与世界同步。

       富士IGBT模块型号2MBI1400VXB-170P-54原装有现货,其他型号如2MBI1000VXB-170E-54   2MBI1400VXB-120P-54   2MBI450VN-170-50    2MBI600VN-170P-50    2MBI150VA-120-50   2MBI650VXA-170E-54    2MBI800XNE-120等也都有现货。
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