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南麟NP3401 p 沟道增强型MOSFET

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上架日期：2022-07-15 17:10:06

产地：上海

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南麟NP3401 p 沟道增强型MOSFET

描述 NP3401采用先进的沟槽技术提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V时工作。这器件适合用作负载开关或用于PWM 应用程序。一般特征  VDS =-30V，ID =-4.2A RDS(开)(典型值。)= 39mω@ VGS =-4.5V RDS(开)(典型值。)= 49mω@ VGS =-2.5V 高功率和电流处理能力收购无铅产品 表面贴装封装应用  PWM应用 负荷开关

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