产品简介
详细说明
60V/50A-小于20毫欧-高频电路方案详细说明：
60V/50A-小于20毫欧-高频电路方案采用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供优良的 rds (on)。它可以用于各种各样的应用。
60V/50A-小于20毫欧-高频电路方案采用先进的超低压高密度电池设计，完全特征的雪崩电压和电流，
60V/50A-小于20毫欧-高频电路方案具有良好的稳定性和均匀性，并具有较高的可伸缩性。
60V/50A-小于20毫欧-高频电路方案主要特性：
=VDS =60V,ID =50A
= RDS(ON) <20mΩ @ VGS=10V
=具有良好的稳定性和均匀性，并具有较高的可伸缩性
=具有良好的散热性能的优良封装
=具有高可伸缩性的特殊工艺技术
= 超低压高密度电池设计
=完全特征的雪崩电压和电流
60V/50A-小于20毫欧-高频电路方案应用领域：
=不间断电源
=开关电源
=功率开关应用
=硬开关和高频电路
=交换机控制电路
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