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QORVO品牌氮化镓产品选型书
QORVO品牌氮化镓产品选型书
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上架日期:2019-05-24 14:56:27
产地:美国
发货地:深圳市龙华区
供应数量:不限
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详细说明

    氮化镓创新

     

    Qorvo不断提供最高性能和可靠性,以满足客户的需求。 采用高性能GaN

    技术支持从DCKa波段的产品,Qorvo通过提供新产品继续建立强大的GaAs传统

    和战略代工服务,努力满足我们合作伙伴苛刻的系统要求。 有了Qorvo,你不仅得到了

    世界一流的电气性能,我们的合作伙伴也受益于具有业界领先的GaN可靠性的“值得信赖”的供应商。 Qorvo也是

    唯一一家达到制造准备水平(MRL)的GaN供应商9.寻找能够将您的想法从概念转变为供应商的供应商

    生产? Qorvo正在扩大可能性。


     

    GaN优势

     

    Qorvo GaNSWaP-C分析提供了改进。 凭借出色的功率,效率和增益,系统设计人员现在具有灵活性

    进行以前不可能的设计交易。 更高的功率密度导致更小的区域中更高的功率容量。减少

    结合可以提高效率。 更高的电压操作导致更低的系统损耗。 改进的功率处理支持高

    电源开关和高度可靠的LNA Qorvo在更高的结温下具有领先的GaN可靠性,使用户对此充满信心

    长期运作。 无论动力是增加功率,减小电路板面积还是提高效率,Qorvo GaN都能实现这一目标

    同时降低整体系统成本

     

    关键Qorvo GaN属性:

    现场16900台设备的设备小时数> 6500万,小于

    每百万小时0.013%的故障

    高结温时的可靠性,平均故障时间(MTTF

    200度(C)时大于10 71000万)至10 910亿)小时

    225度(C)大于10 6100万)至10 81亿)小时

    通过Ka波段支持DC的生产技术

     

    出色的噪音系数 - pHEMT相当

    ESDRF输入信号具有高度鲁棒性

    SiC基板,具有出色的热管理性能

    高功率密度(改进的SWaP

    高功率附加效率(改进的SWaP

     

     

    GaN铸造工艺

    作为经国防部认可的“微电子可信赖源”,Qorvo提供各种GaN技术以优化解决方案。认证

    包括铸造,后处理,包装/组装和测试服务。 我们的代工服务部门提供的支持

    补充了Qorvo的高频标准产品组合。 Qorvo服务以满足自定义要求为中心

    混合产品和工艺解决方案。

     

    QGaN25

    技术:SiC0.25μmGaN

    漏极偏置(Vd):高达40V

    工作频率:DC-18 GHz

    PAE10 GHz> 60

    功率密度:10 GHz时为6W / mm

    可靠性:20℃时> 10M小时

    40V3-temp DC MTTF w / failure

    定义为Idmax降低10%)

     

    QGaN25HV

    技术:SiC0.25μmGaN

    漏极偏压(Vd):高达48V

    工作频率:DC-12 GHz

    PAE3.5 GHz> 78

    功率密度:3.5 GHz6.5W / mm

    可靠性:20℃时> 10M小时

    48V3-temp DC MTTF w / failure

    定义为Idmax降低10%)

     

     

    QGaN15

    技术:SiC0.15μmGaN

    漏极偏压(Vd):高达28V

    工作频率:DC-40 GHz

    PAE30 GHz> 50

    功率密度:30 GHz4.2W / mm

    可靠性:20℃时> 10M小时

    28VDC MTTF w /故障定义为

    Idmax降低10%)

     

    QGaN50

    技术:SiC0.50μmGaN

    漏极偏压(Vd):高达65V

    工作频率:DC-8 GHz

    PAE3.5 GHz> 78

    功率密度:3.5 GHz时为9W / mm

    可靠性:20℃时> 10M小时

    65VDC MTTF w /故障定义为

    Idmax降低10%)

     

    GaN封装解决方案

    Qorvo包装解决方案专注于在管理散热的同时化性能

    行为和成本。 我们的高性能GaN产品可以在各种Cu-中找到

    基于包装的优质传热。 取决于功能和操作

    条件方面,Qorvo提供螺栓固定封装,适用于小型表面贴装封装

    气腔或包覆成型格式。

     

    GaN标准产品组合

    Qorvo在高性能砷化镓(GaAs)领域的成熟技术已经扩展到氮化镓(GaN)。使用GaN

    Qorvo被证明是支持下一代和商业应用的进化技术,正在引领潮流

    各种频率和功能的世界级产品。随着基于GaN的放大器和开关的不断增加的产品组合

    凭借我们不断扩展的高性能晶体管产品系列,Qorvo成为满足您GaN需求的首选解决方案供应商。

    Qorvo对工艺和产品进行了广泛的测试和分析,以提供最高的性能和可靠性

    提供卓越的大批量生产能力。同样重要的是测量和预测热行为。 Qorvo模拟

    使用有限元分析的FET通道温度然后验证这些模型对抗FET的微拉曼测量

    提供准确的长期寿命可靠性数据。


     

    详细产品如下

     

    TGF2977-SM TGS2354-SM TGA2611-SM      T2G6003028-FL/-FS

    TQP0102     TGS2355-SM TGA2227-SM      QPD1004

    TGF2965-SM TGS2352-2-SM   TGA2612-SM      TGF2955

    TGF2952      TGS2353-2-SM   TGA2627-SM      T1G4004532-FL/-FS

    TGF2023-2-01    QPA2237     TGA2598-SM      T2G4005528-FS

    QPD1010     TGA2237-SM      TGA2590-CP TGF2023-2-10

    QPD1011     TGA2976-SM      QPA1013D   TGF2956

    T2G6000528-Q3 TGA2216-SM      TGA2963-CP TGF2957

    TGF3015-SM QPA1003P    TGA3042-SM      QPD1015/L

    T1G6001032-SM TGA2597-SM      TGA2586-FL TGF2929-HM

    TGF2023-2-02    TGA2578-CP QPA1010     TGF2929-FL/-FS

    QPD1022     TGA2214-CP QPA1011     TGF2023-2-20

    QPD1014     TGA2573-2  TGA2238-CP T1G4012036-FL/-FS

    QPD1014     TGA2576-2-FL    TGM2635-CP      TGF2819-FL/-FS

    TGF2953      TGA2975-SM      TGA2624-SM      QPD1008/L

    QPD1000     TGA2830-SM      TGA2624-CP QPD1013

    QPD1009     TGA2583-SM      TGA2622-SM      T1G4020036-FL/-FS

    T2G6001528-SG TGA2585-SM      TGA2622-CP T1G2028536-FL/-FS

    T2G6001528-Q3 QPA1014     TGA2312-FL QPD1017

    TGF2023-2-05    TGA2818-SM      TGA2625-CP QPD1003

    TGF2978-SM QPA1000     TGA2623-CP QPD1019

    TQP0103     TGA2817-SM      TGA2958-SM      QPD1016

    TGF3021-SM TGA2813-CP TGA2218-SM      TGA2594-HM

    TGF3020-SM TGA2814-SM      TGA2219-CP TGA2595-CP

    TGF2979-SM TGA2814-CP TGA2239-CP TGA2307-SM

    TGF2954      TGA2813-SM      TGA4548-SM      TGA2599-SM

    T2G4003532-FL/-FS  TQP0104          

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