表面波器件只能做在象钽酸锂或铌酸锂这样特殊的单晶基底上。而BAW器件可以做在可选的任意基底上，比如硅就可以做为很好的基底，因而可以直接利用主流IC制造厂现有的工艺、设备和基底结构。制作BAW所需的大多数工序可以直接在标准IC生产设备上完成，而不需要任何改变。光刻也不是问题，0.8微米的特征尺寸就足够了。一个BAW器件所需的光刻步骤在5个到10个之间。BAW中的缺陷密度也是次要问题，相当大的颗粒也不会导致谐振器失效。
  最关键的工序是足够高品质的压电层淀积。尽管压电层是多晶的，但要求所有晶粒的C轴方向完全一致。方向不一致的晶粒会严重降低压电藕合因子和品质因子。BAW器件所用材料最流行的有氮化铝（AlN）、氧化锌（ZnO）和锆钛酸铅（PZT）。从BAW器件的性能出发，所用的材料有几个参数必须考虑：
  压电藕合系数kt2。它决定了电域与机械域间能量交换的程度。藕合系数太低的压电层将不能用来制作满足移动电话应用的带宽要求的滤波器。从这个指标来看，PZT最优（kt2=8-15%），其次是ZnO（kt2=7.5%）和AlN（kt2=6.5%）。
  介电常数r。谐振器的阻抗水平由谐振器的尺寸、压电层厚度、介电常数共同决定。有较高的介电常数r，则可减少谐振器的尺寸。在这个指标上AlN和ZnO很接近，r都大约是10。PZT在这个指标上优势明显，它的r可高达400。从声学性能考虑，介电常数为100时就可以理想地工作在1GHz的频率上。
  声速vL（纵向）。低声速材料可以使用较薄的压电层，从而实现更小的器件。从这个指标看，ZnO和PZT优于AlN。
  固有材料损耗。ZnO和AlN都是在BAW滤波器中经过验证的材料。目前PZT在呈现足够低的固有衰减方面还不成功。
温度系数。由于压电层决定了谐振频率，因而它的温度系数对器件的温漂有巨大的影响。于ZnO相比，AlN的温度系数是相当低的。
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