技术参数:
• Ic(A),Tc=80℃ 200
• Vce(sat),Max(V) 1.75
• Ton(us) 0.6
• Toff(us) 0.8
• Rth(j-c),K/W -
• Pc(W) 1110
• 封装 M276
• 电路结构 半桥
性能概要:
•高速开关
•电压驱动
•低电感模块结构
目标应用:
• 变频电机驱动
• AC和DC伺服驱动放大器
• 不间断电源
• 工业机器,如电焊机