电容器的选用方法  

一.选择合适的型号  

根据电路要求，一般用于低频耦合、旁路去耦等，电气性能要求较低时，可以采用纸介电容器、电解电容器等。  

晶体管低频放大器的耦合电容器，选用1～22μF的电解电容器。旁路电容器根据电路的工作频率来选，如在低频电路中，发射极旁路电容选用电解电容器，容量在10～220μF之间；在中频电路中，可选用0.01~0.1μF的纸介、金属化纸介、有机薄膜电容器等；在高频电路中应选择高频瓷介质电容器；若要求在高温下工作，则应选玻璃釉电容器等。  在电源滤波和退耦电路中，可选用电解电容器。因为在这些使用场合，对电容器性能要求不高，只要体积不大，容量够用就可以了。  

对于可变电容器，应根据电容统调的级数，确定应采用单联或多联的可变电容器，然后根据容量的变化范围、容量变化曲线、体积等要求确定相应品种的电容器。

二.合理确定电容器的容量和误差  

电容器容量的数值，必须按规定的标称值来进行选择。

电容器的误差等级有多种，在低频耦合、去耦、电源滤波等电路中，电容器可以±5%、±10%、±20%等误差等级，但在振荡回路、延时电路、音调控制电路中，电容器的精度要稍高一些；在各种滤波器和各种网络中，要求选用高精度的电容器。

第三：耐压值的选择  

为保证电容器的正常工作，被选用的电容器的耐值不仅要大于实际工作电压，而且还要留有足够的余地，一般选用耐压值为实际工作电压两倍以上的电容器。  

第四：注意电容器的温度系数，高频特性等参数  

在振荡电路中的振荡元件、移相网络元件、滤波器等，应选用温度系数小的电容器，以确保其性能。

  贴片电容介绍：

  贴片电容名片式积层电容是一次性高温烧结而成的也是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合而成。

  贴片电容内部结构简介：

  贴片电容主要包括三大部分：陶瓷介质、内电极、端电极.其中陶瓷介质的主要作用是在电场作用下，极化介电储能。当电场变化时极化率相应发生变化时，由于不同介质种类的主要极化类型不同，其对电场变化的响应速度和极化率也不相同。

  电极分为内电极与端电极。其中内电极位于贴片电容器内部，主要提供电极板正对面积，它与介质一般是交替叠放。

  贴片电容是一种小型电容器，它的封装规格有0201 0402 0603 0805 1206等几种，材质有X7R Z5U Y5V NPO四种，最常用的是X7R与NPO材质。

  今天我们讲解贴片电容M档与Z档的区别首先我们要知道M与Z的意思，其中M代表±20%的容量误差，Z代表正80%负20%的容量误差。

  例：0805 10uf电容，如果M档则表示误差在8uf-12uf之间浮动，Z档则为8uf-18uf之间浮动。

   贴片电容简介：

  全称：多层（积层、叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容、片容，英文缩写：MLCC

   主要规格尺寸，按英制标准分为：02010402060308051206以及大规格的1210180818122220222530123035等。

  容量范围：0.5pF100uF其中，一般认为容量在1uF以上为大容量电容。

  额定电压：从4V4KVDC当额定电压在100V及以上时，即归纳为中高压产品。

  片式电容的稳定性及容量精度与其采用的介质资料存在对应关系，主要分为三大类别。

   贴片电容0805系列厚度一般为0.85或者1.25，但是我司可制造1.0特殊厚度，如有需要请提前预订。

  贴片电容介质是以COG/NPO为I类介质的高频电容器，其温度系数为±30ppm/℃，电容量非常稳定，几乎不随温度、电压和时间的变化而变化，主要应用于 高频电子线路，如振荡、计时电路等;其容量精度主要为±5，以及在容量低于10pF时，可选用B档(±0.1pF)、C档(±0.25pF)、D档 (±0.5pF)三种精度。

 以X7R为II类介质的中频电容器，其温度系数为±15，电容量相对稳定，适用于各种旁路、耦合、滤波电路等，其容量精度主要为K档(±10)。特殊情况下，可提供J档(±5)精度的产品。

 不同品种的电容器，最高使用频率不同。小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只有8MHZ。

  以Y5V为III类介质的低频电容器，其温度系数为：+30～-80，电容量受温度、电压、时间变化较大，一般只适用于各种滤波电路中。其容量精度主要为Z档(+80～-20)，也可选择±20精度的产品。

   贴片电容介质强度表征的是介质材料承受高强度电场作用而不被电击穿的能力,通常用伏特/密尔(V/mil)或伏特/厘米(V/cm)表示. 当外电场强度达到某一临界值时,材料晶体点阵中的电子克服电荷恢复力的束缚并出现场致电子发射,产生出足夠多的自由电子相互碰撞导致雪崩效应,进而导致突发击穿电流击穿介质,使其失效.除此之外,介质失效还有另一种模式,高压负荷下产生的热量会使介质材料的电阻率降低到某一程度,如果在这个程度上延续足夠长的时间,将会在介质最薄弱的部位上产生漏电流.这种模式与温度密切相关,介质强度隨温度提高而下降.