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工厂直销 原装风华1210贴片电容
工厂直销 原装风华1210贴片电容
产品价格:¥0.03
上架日期:2019-11-20 14:43:28
产地:广东东莞市
发货地:广东东莞市
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详细说明


    贴片式铝电解电容拥有比贴片式钽电容更大的容量,其多见于显卡上,容量在300μF~1500μF之间,其主要是满足电流低频的滤波和稳压作用。

    1、测试条件对测量结果的影响

        首先考虑测量条件的问题,对于不同容值的贴片电容会采用不同的测试条件来测量容值,主要在测试电压的设定和测试频率的设定上有区别,下表所示为不同容值的量测条件:

     

     

    电容

    AC 电压

    频率

    容量>10μF

    1.0± 0.2Vrms

    120HZ

    1000pF<容量≦10μF

    1.0± 0.2Vrms

    1kHz

    容量1000pF

    1.0± 0.2Vrms

    1MHz


    2、测量仪器的差异对测量结果的影响.

         大容量的电容(通常指1UF以上)测量时更容易出现容值偏低的现象,造成这种现象的主要原因是施加在电容两端的实际电压不能达到测试条件所需求的电压,这是因为加在电容两端的测试电压由于仪器内部阻抗分压的原因与实际显示的设定电压不一致。为了使测量结果误差降到最低,我们建议将仪器调校并尽量把仪器的设定电压跟实际加在电容两端所测的电压尽量调整,使实际于待测电容上输的出电压一致。

     

    注意: 上表中所示的电压是指实际加在测试电容两端的有效电压(理想电压)。

    由于测试仪器的原因,加在电容两端实际的輸出电压与设定的测量电压(理想电压)实际上可能会有所出入。

     

    3、影响高容量电容容值测量偏低的因素

     

    1) 测试仪器內部的阻抗之大小影响.

       由于不同的测试仪器之间的內部阻抗都不同,造成仪器将总电压分压而使加在测试电容两端的实际电压变小。在实际的测试过程中,我们有必要先使用万用表等工具测试夹具两端的实际电压,以确定加在测试贴片电容两端的输出电压。

     

     

    2)不同阻抗的测试仪器的输出电压对比如下:

    仪器内阻100Ω

    1V * [100Ω/(100Ω+16Ω)] = 0.86V

    10uF测试电容的两端电压 :

     首先是陶瓷本体问题-断裂或微裂,这是最常见的问题之一。断裂现象较明显,而微裂一般出在内部,不容易观察到,涉及到片状电容的材质、加工工艺和片状电容使用过程中的机械、热应力等作用因素影响。  

     

          

     

      其次是片状电容电性能问题。片状电容使用一段时间后出现绝缘电阻下降、漏电。  

     

         

     

     

     

      以上两个问题往往同时产生,互为因果关系。电容器的绝缘电阻是一项重要的参数,衡量着工作中片状电容漏电流大小。漏电流大,片状电容储存不了电量,片状电容两端电压下降。往往由于漏电流大导致了片状电容失效,引发了对片状电容可靠性问题的争论。

     

      

     

     

     

    可靠性问题:片状电容失效分为三个阶段:   

     

      第一阶段是片状电容生产、使用过程的失效,这一阶段片状电容失效与制造和加工工艺有关。片状电容制造过程中,第一道工序陶瓷粉料、有机黏合剂和溶剂混合配料时,有机黏合剂的选型和在瓷浆中的比例决定了瓷浆干燥后瓷膜的收缩率;第三道工序丝印时内电极金属层也较关键,否则易产生强的收缩应力,烧结是形成瓷体和产生片状电容电性能的决定性工序,烧结不良可以直接影响到电性能,且内电极金属层与陶瓷介质烧结时收缩不一致导致瓷体内部产生了微裂纹,这些微裂纹对一般电性能不会产生影响,但影响产品的可靠性。主要的失效模式表现为片状电容绝缘电阻下降,漏电。

     

           

     

     

     

      防范、杜绝微裂纹的产生:从原材料选配、瓷浆制备、丝网印刷和高温烧结四方面优选工艺参数,以达到片状电容内部结构合理,电性能稳定,可靠性好。   

     

      

     

     

     

      第二阶段是片状电容稳定地被用于电子线路中,该阶段片状电容失效概率正逐步减小,并趋于稳定。分析片状电容使用过程中片状电容受到的机械和热应力,即分析加工过程中外力对片状电容可能的冲击作用,并依据片状电容在加工过程中受到的应力作用,设计各种应力实验条件,衡量作用在片状电容上的外应力大小及其后果。也可具体做一些片状电容可靠性实验以明确片状电容前阶段是否存在可靠性隐患。   


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