台湾STANOSN 司坦森原厂厂家直销 大量现货价格优势
STN4826替代Si9945BDY、Si4946CDY
描述
stn4826是双N沟道逻辑增强型功率场效应
晶体管是利用高密度,DMOS器件沟道技术。
这种高密度的过程,特别是量身定制,以尽量减少对状态的阻力。这些
装置特别适合于低电压应用,笔记本电脑电源
管理和其他电池供电的电路,高侧开关。
特征
60V / 8.0A,RDS(ON)=30mΩ(典型值)
@ VGS = 10V
60V/6A,RDS(ON)= 40mΩ
@ VGS = 4.5V
超高密度电池设计
极低的RDS(on)
特殊的阻力和
最大直流电流能力
SOP-8封装设计