1  特性
精简指令集架构
8 层硬件堆栈 x12bit
2T 或 4T 指令周期
4Kx14b 程序存储空间
程序存储空间的 checksum 自动校验
可配置，User Option 256x8b 数据 EEPROM
数据 EEPROM 在应用编程
可配置，Factory Option 高耐用性 EEPROM
程序和数据 EEPROM 可经受 100 万次写操作
EEPROM 保存时间>40 年
256x8b SRAM
1 x 带 8 位预分频的定时器 0
1 x 带 3 位预分频的 16 位定时器 1
1 x 带 8 位预分频的
定时器 2.
慢时钟周期测量模式
增强性捕捉、比较和可编程―死区‖时间的 PWM 模块
时钟源可选：系统时钟或者是内部 32MHz 时钟
单次脉冲模式
最多 3 对带―死区‖的 PWM 输出
4x12bit Timer，4x12bit PWM，支持 BUZZER 模式
支持每组 PWM 的互补脉冲输出
时钟最快 32M
外设时钟输出
1x9bit 可编程脉冲发生器（PPG）
两个重载寄存器
脉冲极性可选择
支持脉宽限制
支持不可重复触发模式
手动触发方式和比较器结果触发方式
带 7 位预分频的 WDT，溢出频率范围为 16ms~256s
上电延迟计数器 PWRT
低功耗模式 SLEEP
多个唤醒源，外部中断 INT、端口变化中断、WDT 和数据 EEPROM 写完成，等等

可配置硬件去抖的外部中断 INT
内置高速 16M RC 振荡器
内置低速 32K RC 振荡器
支持外部晶振 16M 或 32K，以及外部时钟模 式
时钟缺失检测
双速启动模式
内置 10 位的 ADC，支持 8 个通道（7 个外部通道 + 1 个内部 1/4VDD 通道）
参考电压可选：外部 Vref，VDD，内部2V/3V
可配置，Factory Option
内置 6 个高速高精度比较器
可编程的参考电压
比较结果可直接输出
比较结果可配置去抖
输入失调电压可校准
迟滞控制（比较器 0/1/2/3）
1x 运算放大器，支持软件校准输入失调电压
低电压复位 LVR：2.0V/2.2V/2.8V
低电压检测  LVD：2.0V2.4V/2.8V/3.0V/3.6V/4.2V
3 对 USB 充电端口：
专用充电端口 DC+/DC-
充电下行端口 DA+/DA-，DB+/DB-
支持 QC2.0 和 QC3.0 以及苹果、三星设备
最多同时对两个设备充电
集成 D2I 模块
最多 18 个通用 IO，20 个芯片管脚
所有 IO 带独立上拉控制
4 个 IO 带独立下拉控制
下降沿中断，RA0~RA7
支持在系统编程 ICSP
支持在线调试，3 个硬件断点
程序空间保护
工作电压范围：2.0V~ 5.5V
最大时钟工作频率：16MHz
FSYS=8MHz(2T mode): 2.0V~5.5V
FSYS=16MHz(2T mode): 2.7V~5.5V
封装类型：SOP14, SOP16, SOIC20, SSOP20