Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。
同步整流 MOSFET 设备的组合,适用于交流-直流电源,支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 25 A |
最大漏源电压 | 200 V |
最大漏源电阻值 | 73 mΩ |
最大栅阈值电压 | 5V |
最小栅阈值电压 | 3V |
最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
封装类型 | TO-220AB |
安装类型 | 通孔 |
晶体管配置 | 单 |
引脚数目 | 3 |
通道模式 | 增强 |
类别 | 功率 MOSFET |
最大功率耗散 | 144 W |
典型关断延迟时间 | 25.4 ns |
典型输入电容值@Vds | 1710 pF@ 50 V |
最低工作温度 | -55 °C |
典型接通延迟时间 | 13.4 ns |
晶体管材料 | Si |
每片芯片元件数目 | 1 |
宽度 | 4.83mm |
典型栅极电荷@Vgs | 25 nC @ 10 V |
尺寸 | 10.67 x 4.83 x 9.02mm |
长度 | 10.67mm |
系列 | HEXFET |
最高工作温度 | +175 °C |
高度 | 9.02mm |