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N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V，Infineon
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
产品技术参数
AttributeValue
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 18 A |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 最大漏源电阻值 | 150 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 安装类型 | 通孔 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 引脚数目 | 3 |
| 通道模式 | 增强 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 最大功率耗散 | 150 W |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型关断延迟时间 | 23 ns |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 典型输入电容值@Vds | 1160 pF @ 25 V |
| 高度 | 8.77mm |
| 系列 | HEXFET |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型栅极电荷@Vgs | 67 nC @ 10 V |
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