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ENROO英锐恩EN8F62单片机8位可兼容PIC12F629
ENROO英锐恩EN8F62单片机8位可兼容PIC12F629
产品价格:¥面议
上架日期:2017-12-22 10:12:31
产地:广东深圳市
发货地:广东深圳市
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详细说明

    高性能 RISC CPU:
    •  采用RISC架构,仅有37条单指令
     (除程序跳转指令外的所有其他指令都是单周期指令,程序跳转指令是双周期指令)
    •  8级深的硬件堆栈
    •  14位宽指令集, 8位宽的数据路径
    •  可擦写flash芯片,片内闪存(ROM)为1K字,数据存储容量(RAM)为64字节
    •   EEPROM大小为128bit
    •  数据和指令的直接、间接和相对寻址模式
    •  GP0~5都可睡眠唤醒,且可通过软件独立设置内部上拉
    •   工作电压2.0V~5.5V
    •  有可选电源低压检测,欠压复位功能(PED),三级欠压复位
    •   有中断功能
    •   定时器0:带3Bit预分频器8Bit定时器
    •   定时器1:带2Bit预分频器16Bit定时器
    •   1个模拟比较器模块
    •   自振式看门狗定时器 
    •   6个可独立直接控制I/O口
    •  工作速度:内部4M/8M振荡器
    单片机的特性:
    •  上电复位(Power-on Reset,POR)
    •  低电压检测(LVD)和欠压复位 (BOR)
    •  上电复位(Power-on Reset,POR)
    •  具有专用片内RC振荡器的看门狗定时器(WDT),能够可靠地工作
    •  代码保护功能
    •  独立的可编程若上拉功能
    •  节省功耗的休眠模式
    •  可选的振荡器选项:
    -  IRC:4或8MHz内部振荡器
    -   RC:廉价RC震荡器
    -   LFXT:低频晶体振荡器
    -  XTAL:标准晶体振荡器
    •  高耐久性的闪存/EEPROM存储单元
       -闪存耐写次数达到100,000次
                -EEPROM耐写次数达到1,000,000次
       -闪存/数据EEPROM的数据保存期>40年
    低功耗特性 CMOS 技术:
    •  工作电流:
    -  在2V、4MHz 时 < 170 uA
    •  待机电流:
    -  2V 时典型值为1nA

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