产品参数 | |||
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品牌 | 士兰微 | ||
封装 | TO-220F-3L | ||
批号 | 21 | ||
数量 | 660000 | ||
数量 | 660000 | ||
种类 | 场效应管 | ||
漏源电压 VDS | 800 V | ||
栅源电压 VGS | ±30 V | ||
产品应用 | 电子设备 | ||
可售卖地 | 全国 | ||
类型 | 电子元器件 | ||
型号 | SVF10N80F |
SVF10N80F/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。
主要特点
10A,800V,RDS(on)(典型值)=0.92Ω@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt 能力
飞捷士专业的功率器件专家,如有更多问题请可以与我们联系:150-1279-7618