单面或双面抛光N型、P型砷化铟(InAs）半导体晶片招商信息-机电一体化网

产品简介

单面或双面抛光N型、P型砷化铟(InAs）半导体晶片

产品价格：￥\u9762\u8bae

上架日期：2024-09-22 13:11:54

产地：福建厦门

发货地：福建厦门

供应数量：不限

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详细说明

产品参数
品牌	中芯晶研
批号	最新
封装	单片包装
包装	盒装
数量	10
晶向	（111）、（110）
直径	2、3、4英寸
应用	半导体器件
可售卖地区	全国
可售卖地	全国
型号	N型、P型

砷化铟（InAs）是一种由铟和砷组成的直接跃迁半导体，类似于砷化镓，其禁带宽度为0.45eV（300K）。其外观为灰色立方晶体，熔点为942°C，晶格常数为0.6058nm，砷化铟晶体结构为闪锌矿结构。砷化铟以其高电子迁移率和窄能带隙而众所周知，被广泛用作太赫兹辐射源。
可供N型和P型半导体砷化铟晶片，规格参数如下：

1. 砷化铟单晶片规格

2. InAs晶片应用
InAs单晶具有高电子迁移率，是制造霍尔器件的理想材料。此外，InAs晶片的发射波长为3.34μm，在InAs衬底上可以生长晶格匹配的InGaAsSb、InAsPSb和InAsSb多外延材料，以制造2～4μm波段的光纤通信激光器和探测器。

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