宽禁带半导体：氮化镓（GaN）单晶自支撑衬底片招商信息-机电一体化网

产品简介

宽禁带半导体：氮化镓（GaN）单晶自支撑衬底片

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上架日期：2024-09-22 13:11:51

产地：福建厦门

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详细说明

产品参数
品牌	中芯晶研
批号	最新
封装	单片包装
包装	盒装
晶体结构	纤锌矿晶体结构
带隙	3.4eV
有效面积	>90
总厚度变化	≤15um
弯曲度	≤20um
抛光	正面：外延级抛光；背面：精磨
数量	10
可售卖地区	全国
可售卖地	全国
型号	N型，半绝缘型

氮化镓（GaN）是二十世纪九十年代以来常用于发光二极管的二元III / V族直接带隙半导体。该化合物是一种非常坚硬的材料，具有纤锌矿晶体结构。其3.4 eV的宽带隙为光电，高功率和高频器件的应用提供了特殊的性能。可供氢化物气相外延（HVPE）技术生长导电型与半绝缘型氮化镓单晶衬底晶片，晶片参数大致如下：
1. 氮化镓晶片规格参数

2. 氮化镓衬底的应用场景
1）GaN衬底可制备发光二极管（LED）与紫外激光二极管（LD）；
2）它对电离辐射的敏感性很低（与其他III族氮化物一样），使其成为卫星太阳能电池阵列的合适材料。
3）由于设备在辐射环境中表现出稳定性，因此太空应用也可能受益。
4）由于GaN晶体管可以在更高的温度下工作，并且工作电压比砷化镓（GaAs）晶体管高得多，因此它们可以在微波频率下制造理想的功率放大器。

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