N型、P型、半绝缘型磷化铟（InP）化合物半导体衬底片招商信息-机电一体化网

产品简介

N型、P型、半绝缘型磷化铟（InP）化合物半导体衬底片

产品价格：￥\u9762\u8bae

上架日期：2024-09-22 13:11:41

产地：福建厦门

发货地：福建厦门

供应数量：不限

最少起订：1

浏览量：12

点击询价 QQ洽谈

资料下载：暂无资料下载

其他下载：暂无相关下载

详细说明

产品参数
品牌	中芯晶研
批号	最新
封装	单片包装
包装	盒装
材料	磷化铟（InP）
抛光	单面或双面
总厚度变化	<10um
弯曲度	<10um
翘曲度	<12um
数量	10
可售卖地	全国
型号	N型、P型、半绝缘

磷化铟（InP）是由铟和磷组成的二元半导体。它具有闪锌矿型晶体结构，与GaAs和大多数III-V半导体相同。磷化铟可以通过白磷和碘化铟在400℃下的反应制备，也可以通过在高温和高压下直接组合纯化的元素，或通过三烷基铟化合物和膦的混合物的热分解来制备。可提供2”, 3”, 4”磷化铟晶片，具体参数以2寸的为例：

1. 2英寸磷化铟晶片规格参数

2. 磷化铟晶片用途
磷化铟用于高功率和高频电子设备，因为它相对于更常见的半导体硅和砷化镓具有优异的电子速度。它与铟镓砷一起用于制造破纪录的假晶异质结双极晶体管，其可以在604GHz下工作。它还具有直接带隙，使其可用于激光二极管等光电器件。磷化铟作为制造光通信行业光子集成电路的主要技术材料，可以实现波分复用应用。磷化铟还用作外延基于铟镓砷的光电器件的衬底。

更多产品信息或疑问请邮件咨询：vp@honestgroup.cn