产品简介
FCP11N60
FCP11N60
产品价格:¥5.7750
上架日期:2024-09-11 07:34:47
产地:广东省深圳市
发货地:广东省深圳市
供应数量:不限
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详细说明
    产品参数
    品牌ON
    封装TO-220-3
    批号1949
    数量85000
    制造商ON Semiconductor
    产品种类MOSFET
    RoHS
    安装风格Through Hole
    封装 / 箱体TO-220-3
    通道数量1 Channel
    晶体管极性N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压600 V
    Id-连续漏极电流11 A
    Rds On-漏源导通电阻380 mOhms
    Vgs - 栅极-源极电压30 V
    最小工作温度- 55 C
    最大工作温度 150 C
    Pd-功率耗散125 W
    配置Single
    通道模式Enhancement
    高度16.3 mm
    长度10.67 mm
    系列
    晶体管类型1 N-Channel
    宽度4.7 mm
    正向跨导 - 最小值9.7 S
    下降时间56 ns
    上升时间98 ns
    典型关闭延迟时间119 ns
    典型接通延迟时间34 ns
    单位重量1.800 g
    可售卖地全国
    型号


    技术参数

    品牌:ON
    型号:FCP11N60
    封装:TO-220-3
    批号:1949
    数量:85000
    制造商:ON Semiconductor
    产品种类:MOSFET
    RoHS:
    安装风格:Through Hole
    封装 / 箱体:TO-220-3
    通道数量:1 Channel
    晶体管极性:N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压:600 V
    Id-连续漏极电流:11 A
    Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms
    Vgs - 栅极-源极电压:30 V
    最小工作温度:- 55 C
    最大工作温度: 150 C
    Pd-功率耗散:125 W
    配置:Single
    通道模式:Enhancement
    高度:16.3 mm
    长度:10.67 mm
    系列:FCP11N60
    晶体管类型:1 N-Channel
    宽度:4.7 mm
    正向跨导 - 最小值:9.7 S
    下降时间:56 ns
    上升时间:98 ns
    典型关闭延迟时间:119 ns
    典型接通延迟时间:34 ns
    单位重量:1.800 g
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