产品简介
半导体分立器件静态参数测试仪系统华科智源
半导体分立器件静态参数测试仪系统华科智源
产品价格:¥1.00
上架日期:2024-08-29 15:55:27
产地:广东深圳
发货地:广东深圳
供应数量:不限
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详细说明
    产品参数
    品牌华科智源
    重量30kg
    设备尺寸500(宽)x 450(深)x 250(高)mm
    海拔高度海拔不超过 1000m
    储存环境-20℃~50℃
    工作环境15℃~40℃
    相对湿度20RH ~ 85RH
    大气压力86Kpa~ 106Kpa
    防护无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等空气污染的损害
    用电要求AC220V,±10
    电网频率50Hz±1Hz
    应用领域新能源 光伏 风电 轨交 变频器
    夹具sot-23 62mm 34mm
    电流1600A
    电压5000V
    可售卖地全国



    一:主要特点
    华科智源HUSTEC-1600A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的?IGBT测试,还可以测量大功率二极管?、IGBT模块,大功率?IGBT、大功率双极型晶体管,MOS管等器件的?V-I?特性测试,测试1200A(可扩展至2000A),5000V以下的各种功率器件,广泛应用于轨道交通,电动汽车?,风力发电,变频器,焊机行业的IGBT来料选型和失效分析,设备还可以用于变频器,风电,轨道交通,电焊机等行业的在线检修,无需从电路板上取下来进行单独测试,可实现在线IGBT检测,测试方便,测试过程简单,既可以在测试主机里设置参数直接测试,又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试,通过电脑操作完成?IGBT?的静态参数测试;


    测试参数:
    ICES??集电极-发射极漏电流
    IGESF?正向栅极漏电流?
    IGESR?反向栅极漏电流
    BVCES?集电极-发射极击穿电压
    VGETH?栅极-发射极阈值电压
    VCESAT?集电极-发射极饱和电压
    ICON?通态电极电流
    VGEON?通态栅极电压
    VF?二极管正向导通压降
    整个测试过程自动完成,电脑软件携带数据库管理查询功能,可生成测试曲线,方便操作使用。


    应用范围
    A:IGBT单管及模块,
    B:大功率场效应管(Mosfet)
    C:大功率二极管
    D:标准低阻值电阻
    E:轨道交通,风力发电,新能源汽车,变频器,焊机等行业筛选以及在线故障检测

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