产品参数 | |||
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型号 | FP50R12KT4 | ||
封装 | 标准封装 | ||
批次 | 21 22 | ||
数量 | 5000 | ||
制造商 | Infineon | ||
产品种类 | IGBT模块 | ||
配置 | 3-Phase | ||
集电极—射极饱和电压 | 2.25V | ||
在25C的连续集电极电流 | 50A | ||
栅极—射极漏泄电流 | 100nA | ||
Pd-功率耗散 | 280W | ||
封装/箱体 | Econo3 | ||
最小工作温度 | -40C | ||
最大工作温度 | 150C | ||
高度 | 17mm | ||
长度 | 107.5mm | ||
宽度 | 45mm | ||
安装风格 | ChassisMount | ||
栅极/发射极最大电压 | 20V | ||
单位重量 | 180g | ||
品牌 | 英飞凌/Infineon |