产品简介
详细说明
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | ON | ||
| 封装 | 8-SOIC | ||
| 批号 | 1948 | ||
| 数量 | 100000 | ||
| 制造商 | onsemi | ||
| 驱动配置 | 半桥 | ||
| 通道类型 | 同步 | ||
| 驱动器数 | 2 | ||
| 栅极类型 | N 沟道 MOSFET | ||
| 电压 - 供电 | 8V ~ 20V | ||
| 输入类型 | 非反相 | ||
| 上升/下降时间（典型值） | 40ns，20ns | ||
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TJ） | ||
| 安装类型 | 表面贴装型 | ||
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 类型 | 集成电路（IC） PMIC - 栅极驱动器 | ||
| 型号 | |||
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技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | NCP1392DDR2G |
| 封装： | 8-SOIC |
| 批号： | 1948 |
| 数量： | 100000 |
| 类别： | 集成电路（IC） PMIC - 栅极驱动器 |
| 制造商： | onsemi |
| 驱动配置： | 半桥 |
| 通道类型： | 同步 |
| 驱动器数： | 2 |
| 栅极类型： | N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电： | 8V ~ 20V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）： | 500mA，1A |
| 输入类型： | 非反相 |
| 高压侧电压 - 最大值（自举）： | 600 V |
| 上升/下降时间（典型值）： | 40ns，20ns |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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