产品简介
BSZ0902NSATMA1电子元器件INFINEON封装N\/A
BSZ0902NSATMA1电子元器件INFINEON封装N\/A
产品价格:¥1.0000
上架日期:2024-04-13 15:38:51
产地:广东省深圳市
发货地:广东省深圳市
供应数量:不限
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详细说明
    产品参数
    BSZ0902NSATMA1 电子元器件 INFINEON 封装N/A 品牌INFINEON
    封装N/A
    数量238271
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
    产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单个
    系列OptiMOS?
    FET 类型N 通道
    漏源电压(Vdss)30V
    25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)19A(Ta),40A(Tc)
    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
    Vgs(最大值)±20V
    功率耗散(最大值)2.1W(Ta),48W(Tc)
    工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型表面贴装型
    封装/外壳8-PowerTDFN
    可售卖地全国
    类型分立半导体产品
    型号BSZ0902NSATMA1


    技术参数

    品牌:INFINEON
    型号:BSZ0902NSATMA1
    封装:N/A
    数量:238271
    对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
    湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)
    类别:分立半导体产品
    产品族:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
    系列:OptiMOS?
    FET 类型:N 通道
    漏源电压(Vdss):30V
    25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A(Ta),40A(Tc)
    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
    不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.6 毫欧 @ 20A,10V
    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
    不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):26nC @ 10V
    Vgs(最大值):±20V
    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1700pF @ 15V
    功率耗散(最大值):2.1W(Ta),48W(Tc)
    工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:8-PowerTDFN
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