产品参数 | |||
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品牌 | INFINEON | ||
封装 | TO-220(TO-220-3) | ||
批号 | 2009 | ||
数量 | 14000 | ||
制造商 | Infineon | ||
产品种类 | MOSFET | ||
RoHS | 是 | ||
技术 | Si | ||
安装风格 | Through Hole | ||
封装 / 箱体 | TO-220-3 | ||
通道数量 | 1 Channel | ||
晶体管极性 | N-Channel | ||
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V | ||
Id-连续漏极电流 | 210 A | ||
Rds On-漏源导通电阻 | 2.4 mOhms | ||
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V | ||
Qg-栅极电荷 | 120 nC | ||
Pd-功率耗散 | 300 W | ||
配置 | Single | ||
高度 | 15.65 mm | ||
长度 | 10 mm | ||
晶体管类型 | 1 N-Channel | ||
宽度 | 4.4 mm | ||
商标 | Infineon Technologies | ||
产品类型 | MOSFET | ||
工厂包装数量 | 1000 | ||
子类别 | MOSFETs | ||
零件号别名 | SP001566480 | ||
单位重量 | 6 g | ||
可售卖地 | 全国 | ||
型号 | IRFB3206PBF |
品牌: | INFINEON |
型号: | IRFB3206PBF |
封装: | TO-220(TO-220-3) |
批号: | 2009 |
数量: | 14000 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-220-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 210 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 2.4 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Qg-栅极电荷: | 120 nC |
Pd-功率耗散: | 300 W |
配置: | Single |
高度: | 15.65 mm |
长度: | 10 mm |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 4.4 mm |
商标: | Infineon Technologies |
产品类型: | MOSFET |
工厂包装数量: | 1000 |
子类别: | MOSFETs |
零件号别名: | SP001566480 |
单位重量: | 6 g |