产品简介
AOS场效应管AOT1608LMOSFETN-CH60V11ATO220
AOS场效应管AOT1608LMOSFETN-CH60V11ATO220
产品价格:¥0.1650
上架日期:2024-04-04 00:04:37
产地:广东省深圳市
发货地:广东省深圳市
供应数量:不限
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详细说明
    产品参数
    品牌AOS
    封装TO-220
    批号20
    数量120000
    描述MOSFET N-CH 60V 11A TO220
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
    原厂标准交货期18 周
    详细描述通孔-N-通道-60V-11A(Ta)-140A(Tc)-2.1W
    数据列表AO(T
    B)1608L;
    标准包装TO220 Pkg Drawing;
    包装50
    零件状态管件
    产品族分立半导体产品
    系列晶体管 - FET,MOSFET - 单个
    FET 类型N 通道
    技术MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss)60V
    25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)11A(Ta),140A(Tc)
    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.7V @ 250μA
    Vgs(最大值)±20V
    功率耗散(最大值)2.1W(Ta),333W(Tc)
    工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
    安装类型通孔
    供应商器件封装TO-220
    封装/外壳TO-220-3
    可售卖地全国
    类型有源
    型号AOT1608L


    技术参数

    品牌:AOS
    型号:AOT1608L
    封装:TO-220
    批号:20
    数量:120000
    描述:MOSFET N-CH 60V 11A TO220
    对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
    湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)
    原厂标准交货期:18 周
    详细描述:通孔-N-通道-60V-11A(Ta)-140A(Tc)-2.1W(Ta)-333W(Tc)-TO-220
    数据列表:AO(T,B)1608L;
    标准包装:TO220 Pkg Drawing;
    包装:50
    零件状态:管件
    类别:有源
    产品族:分立半导体产品
    系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
    其它名称:-
    FET 类型:N 通道
    技术:MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss):60V
    25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A(Ta),140A(Tc)
    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
    不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.6 毫欧 @ 20A,10V
    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 250μA
    不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):84nC @ 10V
    Vgs(最大值):±20V
    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3690pF @ 25V
    FET 功能:-
    功率耗散(最大值):2.1W(Ta),333W(Tc)
    工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
    安装类型:通孔
    供应商器件封装:TO-220
    封装/外壳:TO-220-3
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