产品简介
详细说明
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | VISHAY | ||
| 封装 | TO-263-2 | ||
| 批号 | 20 | ||
| 数量 | 30000 | ||
| 制造商 | Vishay Siliconix | ||
| FET 类型 | N 通道 | ||
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | ||
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 22A（Tc） | ||
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA | ||
| 功率耗散（最大值） | 250W（Tc） | ||
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | ||
| 安装类型 | 通孔 | ||
| 供应商器件封装 | TO-247AC | ||
| 封装/外壳 | TO-247-3 | ||
| 漏源电压（Vdss） | 600 V | ||
| 基本产品编号 | SIHG22 | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | SIHG22N60S-E3 | ||
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技术参数
| 品牌： | VISHAY |
| 型号： | SIHG22N60S-E3 |
| 封装： | TO-263-2 |
| 批号： | 20 |
| 数量： | 30000 |
| 制造商： | Vishay Siliconix |
| FET 类型： | N 通道 |
| 技术： | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 22A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 190 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 4V @ 250μA |
| 功率耗散（最大值）： | 250W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 通孔 |
| 供应商器件封装： | TO-247AC |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 漏源电压（Vdss）： | 600 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）： | 110 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 5620 pF @ 25 V |
| 基本产品编号： | SIHG22 |
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