低电容瞬态电压抑制器二极管阵列

DFN1006-2L小型封装的双向ESD保护芯片（12V TVS管）DC1221P1L，结电容仅为15pF

DC1221P1L特性：

通过IEC61000-4-2（ ESD）：±30 kV--空气? ±30kV--接触

通过IEC61000-4-5（Lightning）：?5A(8/20uS)

在额定电压下，漏电流小于0.2uA

低钳位电压VC小于16V（1A 8/20uS)

无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准

绿色环保塑封，符合IEC61249标准?

外壳：DFN1006-2L封装端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）

?瞬态电压抑制器二极管可防止过电压损坏敏感电子元件。?由于其紧凑型封装，??瞬态电压抑制器二极管特别适用于如下应用：手机、LCD、USB 2.0/OTG、MMC?接口、SD?卡接口、MDDI?端口、SIM?端口、键盘和千兆位以太网。

RCLAMP0521P???
DFN1006 单路单向超低电容ESD??
RCLAMP0521P? 是一个功率100W,5.0V低电容0.5pF单路双向二极管ESD保护。
??? 封装：DFN1006/SLP1006P2/0402 5K/盘
????
??? 特点：
??? 功率100W
??? 工作电压:5.0 V
??? 单路双向保护；
??? 低电容(高速接口；
??? 工作电压：5V；
??? 低漏电流；1μA
????
??? 主要应用：
??? 高速线:USB1.0/2.0,VGA,DVI,SDI,
??? 串行和并行端口
??? 笔记本、台式机、服务器
??? 投影电视
??? 手机及配件
??? 便携式仪器