产品简介
.jpg "SI2304DDS-T1-GE3")
详细说明
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | VISHAY | ||
| 封装 | SOT-23(SOT-23-3) | ||
| 批号 | 1949 | ||
| 数量 | 57000 | ||
| 制造商 | Vishay | ||
| 产品种类 | MOSFET | ||
| RoHS | 是 | ||
| 安装风格 | SMD/SMT | ||
| 封装 / 箱体 | SOT-23-3 | ||
| 通道数量 | 1 Channel | ||
| 晶体管极性 | N-Channel | ||
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V | ||
| Id-连续漏极电流 | 3.6 A | ||
| Rds On-漏源导通电阻 | 60 mOhms | ||
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V | ||
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.2 V | ||
| Qg-栅极电荷 | 6.7 nC | ||
| 最小工作温度 | - 55 C | ||
| 最大工作温度 | 150 C | ||
| Pd-功率耗散 | 1.7 W | ||
| 配置 | Single | ||
| 通道模式 | Enhancement | ||
| 系列 | SI2 | ||
| 晶体管类型 | 1 N-Channel | ||
| 正向跨导 - 最小值 | 11 S | ||
| 下降时间 | 5 ns | ||
| 上升时间 | 12 ns | ||
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns | ||
| 典型接通延迟时间 | 5 ns | ||
| 零件号别名 | SI2304DDS-GE3 | ||
| 单位重量 | 8 mg | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | |||
.jpg)
技术参数
| 品牌： | VISHAY |
| 型号： | SI2304DDS-T1-GE3 |
| 封装： | SOT-23(SOT-23-3) |
| 批号： | 1949 |
| 数量： | 57000 |
| 制造商： | Vishay |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-23-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 3.6 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 60 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.2 V |
| Qg-栅极电荷： | 6.7 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | 150 C |
| Pd-功率耗散： | 1.7 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 系列： | SI2 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 最小值： | 11 S |
| 下降时间： | 5 ns |
| 上升时间： | 12 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 10 ns |
| 典型接通延迟时间： | 5 ns |
| 零件号别名： | SI2304DDS-GE3 |
| 单位重量： | 8 mg |
在线询盘/留言
免责声明：以上所展示的信息由企业自行提供，内容的真实性、准确性和合法性由发布企业负责，本网对此不承担任何保证责任。我们原则 上建议您选择本网高级会员或VIP会员。
企业信息
最新供应
- 变频器 驱动器IC200UEX010耐用性强
- 变频器 冗余模块IC200UEO108为您做得到
- 变频器 驱动器IC200UAL004结构紧凑
- 接触器 模块IC200UAL005安全性能高
- 控制器 端子IC200MDL730顺丰速运
- 电源模块 伺服驱动IC200TBX340诚信经营
- 电源 机架IC200CBL520我必承诺
- 电源 机架IC200GBI001调试方便
- 控制器模块 plcIC200UEX636我们一直在努力
- 接触器 控制器IC200ALG261容量充足
- 驱动器 电缆IC200ALG240为你所委托
- 传感器 伺服驱动IC200MDL143我们一直在努力
- 变频器 驱动器IC200MDL240安全环保
- 输出模块 通讯模块IC200UEX824进口配件
- 变频器 驱动器IC200MDL144让我们做得更好
推荐供应
