产品简介
ON场效应管NTZD3155CT1GMOSFETN\/P-CH20VSOT-563
ON场效应管NTZD3155CT1GMOSFETN\/P-CH20VSOT-563
产品价格:¥0.0010
上架日期:2024-01-01 19:12:53
产地:广东省深圳市
发货地:广东省深圳市
供应数量:不限
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详细说明
    产品参数
    ON 场效应管 NTZD3155CT1G MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 品牌ON
    封装SOT-563-6
    批号1920
    数量57000
    制造商ON Semiconductor
    产品种类MOSFET
    RoHS
    安装风格SMD/SMT
    封装 / 箱体SOT-563-6
    通道数量2 Channel
    晶体管极性N-Channel
    P-Channel
    Vds-漏源极击穿电压20 V
    Id-连续漏极电流540 mA
    Rds On-漏源导通电阻550 mOhms
    900 mOhms
    Vgs - 栅极-源极电压6 V
    最小工作温度- 55 C
    最大工作温度 150 C
    Pd-功率耗散250 mW
    配置Dual
    通道模式Enhancement
    高度0.55 mm
    长度1.6 mm
    系列NTZD3155C
    晶体管类型1 N-Channel
    1 P-Channel
    宽度1.2 mm
    下降时间4 ns
    12 ns
    上升时间4 ns
    12 ns
    典型关闭延迟时间16 ns
    35 ns
    典型接通延迟时间6 ns
    10 ns
    单位重量3 mg
    可售卖地全国
    型号NTZD3155CT1G


    技术参数

    品牌:ON
    型号:NTZD3155CT1G
    封装:SOT-563-6
    批号:1920
    数量:57000
    制造商:ON Semiconductor
    产品种类:MOSFET
    RoHS:
    安装风格:SMD/SMT
    封装 / 箱体:SOT-563-6
    通道数量:2 Channel
    晶体管极性:N-Channel, P-Channel
    Vds-漏源极击穿电压:20 V
    Id-连续漏极电流:540 mA
    Rds On-漏源导通电阻:550 mOhms, 900 mOhms
    Vgs - 栅极-源极电压:6 V
    最小工作温度:- 55 C
    最大工作温度: 150 C
    Pd-功率耗散:250 mW
    配置:Dual
    通道模式:Enhancement
    高度:0.55 mm
    长度:1.6 mm
    系列:NTZD3155C
    晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel
    宽度:1.2 mm
    下降时间:4 ns, 12 ns
    上升时间:4 ns, 12 ns
    典型关闭延迟时间:16 ns, 35 ns
    典型接通延迟时间:6 ns, 10 ns
    单位重量:3 mg
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