产品参数 | |||
---|---|---|---|
ON 场效应管 NTZD3155CT1G MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 品牌 | ON | ||
封装 | SOT-563-6 | ||
批号 | 1920 | ||
数量 | 57000 | ||
制造商 | ON Semiconductor | ||
产品种类 | MOSFET | ||
RoHS | 是 | ||
安装风格 | SMD/SMT | ||
封装 / 箱体 | SOT-563-6 | ||
通道数量 | 2 Channel | ||
晶体管极性 | N-Channel | ||
P-Channel | |||
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V | ||
Id-连续漏极电流 | 540 mA | ||
Rds On-漏源导通电阻 | 550 mOhms | ||
900 mOhms | |||
Vgs - 栅极-源极电压 | 6 V | ||
最小工作温度 | - 55 C | ||
最大工作温度 | 150 C | ||
Pd-功率耗散 | 250 mW | ||
配置 | Dual | ||
通道模式 | Enhancement | ||
高度 | 0.55 mm | ||
长度 | 1.6 mm | ||
系列 | NTZD3155C | ||
晶体管类型 | 1 N-Channel | ||
1 P-Channel | |||
宽度 | 1.2 mm | ||
下降时间 | 4 ns | ||
12 ns | |||
上升时间 | 4 ns | ||
12 ns | |||
典型关闭延迟时间 | 16 ns | ||
35 ns | |||
典型接通延迟时间 | 6 ns | ||
10 ns | |||
单位重量 | 3 mg | ||
可售卖地 | 全国 | ||
型号 | NTZD3155CT1G |
品牌: | ON |
型号: | NTZD3155CT1G |
封装: | SOT-563-6 |
批号: | 1920 |
数量: | 57000 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-563-6 |
通道数量: | 2 Channel |
晶体管极性: | N-Channel, P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 20 V |
Id-连续漏极电流: | 540 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | 550 mOhms, 900 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 6 V |
最小工作温度: | - 55 C |
最大工作温度: | 150 C |
Pd-功率耗散: | 250 mW |
配置: | Dual |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 0.55 mm |
长度: | 1.6 mm |
系列: | NTZD3155C |
晶体管类型: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
宽度: | 1.2 mm |
下降时间: | 4 ns, 12 ns |
上升时间: | 4 ns, 12 ns |
典型关闭延迟时间: | 16 ns, 35 ns |
典型接通延迟时间: | 6 ns, 10 ns |
单位重量: | 3 mg |