产品简介
FQT3P20TF
FQT3P20TF
产品价格:¥1.3790
上架日期:2024-01-01 19:12:49
产地:广东省深圳市
发货地:广东省深圳市
供应数量:不限
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详细说明
    产品参数
    品牌ON
    封装SOT-223-4
    批号1950
    数量48000
    制造商ON Semiconductor
    产品种类MOSFET
    RoHS
    安装风格SMD/SMT
    封装 / 箱体SOT-223-4
    通道数量1 Channel
    晶体管极性P-Channel
    Vds-漏源极击穿电压200 V
    Id-连续漏极电流670 mA
    Rds On-漏源导通电阻2.7 Ohms
    Vgs - 栅极-源极电压30 V
    最小工作温度- 55 C
    最大工作温度 150 C
    Pd-功率耗散2.5 W
    配置Single
    通道模式Enhancement
    高度1.8 mm
    长度6.5 mm
    系列FQT3P20
    晶体管类型1 P-Channel
    宽度3.5 mm
    正向跨导 - 最小值0.7 S
    下降时间25 ns
    上升时间35 ns
    典型关闭延迟时间12 ns
    典型接通延迟时间8.5 ns
    单位重量112 mg
    可售卖地全国
    型号


    技术参数

    品牌:ON
    型号:FQT3P20TF
    封装:SOT-223-4
    批号:1950
    数量:48000
    制造商:ON Semiconductor
    产品种类:MOSFET
    RoHS:
    安装风格:SMD/SMT
    封装 / 箱体:SOT-223-4
    通道数量:1 Channel
    晶体管极性:P-Channel
    Vds-漏源极击穿电压:200 V
    Id-连续漏极电流:670 mA
    Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms
    Vgs - 栅极-源极电压:30 V
    最小工作温度:- 55 C
    最大工作温度: 150 C
    Pd-功率耗散:2.5 W
    配置:Single
    通道模式:Enhancement
    高度:1.8 mm
    长度:6.5 mm
    系列:FQT3P20
    晶体管类型:1 P-Channel
    宽度:3.5 mm
    正向跨导 - 最小值:0.7 S
    下降时间:25 ns
    上升时间:35 ns
    典型关闭延迟时间:12 ns
    典型接通延迟时间:8.5 ns
    单位重量:112 mg
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