产品参数 | |||
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品牌 | ON | ||
封装 | TO-3PN-3 | ||
批号 | 1949 | ||
数量 | 20250 | ||
制造商 | onsemi | ||
系列 | UniFET? | ||
FET 类型 | N 通道 | ||
漏源电压(Vdss) | 500 V | ||
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 24A(Tc) | ||
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250μA | ||
Vgs(最大值) | ±30V | ||
功率耗散(最大值) | 270W(Tc) | ||
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | ||
安装类型 | 通孔 | ||
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 | ||
可售卖地 | 全国 | ||
类型 | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - | ||
型号 |
品牌: | ON |
型号: | FDA24N50 |
封装: | TO-3PN-3 |
批号: | 1949 |
数量: | 20250 |
类别: | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
制造商: | onsemi |
系列: | UniFET? |
FET 类型: | N 通道 |
漏源电压(Vdss): | 500 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 24A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 190 毫欧 @ 12A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): | 85 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4150 pF @ 25 V |
功率耗散(最大值): | 270W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-3P-3,SC-65-3 |