产品简介
详细说明
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | ON | ||
| 封装 | SOT-223 | ||
| 批号 | 1952 | ||
| 数量 | 64000 | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | ||
| 产品种类 | MOSFET | ||
| RoHS | 是 | ||
| 安装风格 | SMD/SMT | ||
| 封装 / 箱体 | SOT-223-3 | ||
| 通道数量 | 1 Channel | ||
| 晶体管极性 | N-Channel | ||
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V | ||
| Id-连续漏极电流 | 2 A | ||
| Rds On-漏源导通电阻 | 165 mOhms | ||
| Pd-功率耗散 | 1.1 W | ||
| 配置 | Single | ||
| 资格 | AEC-Q101 | ||
| 系列 | NCV8402A | ||
| 晶体管类型 | 1 N-Channel | ||
| 单位重量 | 250 mg | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | |||
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技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | NCV8402ASTT3G |
| 封装： | SOT-223 |
| 批号： | 1952 |
| 数量： | 64000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-223-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 55 V |
| Id-连续漏极电流： | 2 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 165 mOhms |
| Pd-功率耗散： | 1.1 W |
| 配置： | Single |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 系列： | NCV8402A |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 单位重量： | 250 mg |
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