供应全新正品InfineonIGBT模块英飞凌FF200R17KE4原理图中文资料招商信息-机电一体化网

产品简介

供应全新正品InfineonIGBT模块英飞凌FF200R17KE4原理图中文资料

产品价格：￥200.00

上架日期：2023-12-29 09:43:01

产地：江苏苏州

发货地：江苏苏州

供应数量：不限

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详细说明

产品参数
封装	标准封装
批号	19
数量	3665
制造商	Infineon
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
配置	Dual
集电极—射极饱和电压	2.45 V
在25 C的连续集电极电流	310 A
栅极—射极漏泄电流	100 nA
Pd-功率耗散	1250 W
封装 / 箱体	62 mm
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	150 C
安装风格	Chassis Mount
栅极/发射极最大电压	20 V
零件号别名	FF200R17KE4HOSA1 SP000713374 FF200R17KE4HOSA1
单位重量	340 g
可售卖地	北京;天津;河北;山西;内蒙古;辽宁;吉林;黑龙江;上海;江苏;浙江;安徽;福建;江西;山东;河南;湖北;湖南;广东;广西;海南;重庆;四川;贵州;云南;西藏;陕西;甘肃;青海;宁夏;新疆
型号	FF200R17KE4