产品参数 | |||
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品牌 | Sinton Instrument | ||
规格 | BLS-I | ||
加工定制 | 是 | ||
商品编号(bn) | BLS-I | ||
测量原理 | QSSPC(准稳态光电导) | ||
电阻率测试范围 | 0.5–300 Ohm-cm | ||
少子寿命测量范围: | 100 ns-10 ms | ||
测试模式: | QSSPC,瞬态,寿命归一化分析 | ||
载流子浓度注入范围: | 1013-1016cm-3 | ||
测量深度 | 3mm | ||
偏置光范围 | 0-50suns | ||
外界环境温度: | 20°C–25°C | ||
通用电源电压: | 100–240 VAC 50/60 Hz; | ||
传感器范围 | 45x15mm | ||
测试温度 | 20-25° | ||
测试范围 | 硅棒 | ||
尺寸 | 7.9 cm W x 16.3 cm D x 12.7 cm H | ||
光学常数值 | 0.7 | ||
可售卖地 | 全国 | ||
型号 | 硅棒少子寿命测试仪 |
Sinton BLS-I少子寿命测量仪
BLS-I测量系统用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量,除需要有一个测量平面外,对样块 体形无严格要求,可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体 内重金属杂质污染及缺陷存在的情况,是单晶质量的重要检测项目。
Sinton 少子寿命测量仪,BCT-400测试硅锭,BLS-I测试硅棒,Sinton X-闪光灯头,Sinton X5D闪光灯头,Sinton X闪光灯座。
BCT-400测量系统不需要做表面钝化就能直接测量单晶和多晶硅(锭或块)的少子寿命.
是基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备,具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命,并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值,可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量,并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算。
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