产品参数
品牌	富士
系列	IGBT系列
封装	标准封装
批号	new
可控硅类型	硅(si)
种类	化合物半导体
数量	9999
可售卖地	全国

IGBT硅片的结构与功率MOSFET?的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P ?基片和一个N ?缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1)，其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P 和?N ?区之间创建了一个J1结。?当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率?MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。后的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流(MOSFET?电流)；?一个空穴电流(双极)。

器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极（即门极G）。沟道在紧靠栅区边界形成。在C、E两极之间的P型区（包括P 和P-区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel?region）。而在漏区另一侧的P 区称为漏注入区（Drain?injector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极（即集电极C）

动态特性又称开关特性，IGBT的开关特性分为两大部分：一是开关速度，主要指标是开关过程中各部分时间；另一个是开关过程中的损耗。
IGBT?的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT?处于导通态时，由于它的PNP?晶体管为宽基区晶体管，所以其B?值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET?的电流成为IGBT?总电流的主要部分。此时，通态电压Uds(on)?可用下式表示
Uds(on)?=?Uj1? ?Udr? ?IdRoh
式中Uj1?——?JI?结的正向电压，其值为0.7?～1V?；Udr?——扩展电阻Rdr?上的压降；Roh?——沟道电阻

IGBT?的静态特性主要有伏安特性、转移特性。
IGBT?的伏安特性是指以栅源电压Ugs?为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs?的控制，Ugs?越高，?Id?越大。它与GTR?的输出特性相似．也可分为饱和区1?、放大区2?和击穿特性3?部分。在截止状态下的IGBT?，正向电压由J2?结承担，反向电压由J1结承担。如果无N 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N 缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT?的某些应用范围。