产品参数
品牌	富士
系列	IGBT系列
封装	标准封装
批号	new
可控硅类型	硅(si)
种类	化合物半导体
数量	9999
可售卖地	全国

IGBT?的静态特性主要有伏安特性、转移特性。
IGBT?的伏安特性是指以栅源电压Ugs?为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs?的控制，Ugs?越高，?Id?越大。它与GTR?的输出特性相似．也可分为饱和区1?、放大区2?和击穿特性3?部分。在截止状态下的IGBT?，正向电压由J2?结承担，反向电压由J1结承担。如果无N 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N 缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT?的某些应用范围。

IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然一代功率MOSFET?器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT?技术高出很多。

IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极-?发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。

IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，提高系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热点