产品参数 | |||
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IXFN132N50P3 电子元器件 IXYS/艾赛斯 封装标准封装 批次21 品牌 | 艾赛斯 | ||
封装 | 标准封装 | ||
批号 | 21 | ||
数量 | 5000 | ||
制造商 | IXYS | ||
系列 | HiPerFET? | ||
Polar3? | |||
FET 类型 | N 通道 | ||
漏源电压(Vdss) | 500 V | ||
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 112A(Tc) | ||
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 8mA | ||
Vgs(最大值) | ±30V | ||
功率耗散(最大值) | 1500W(Tc) | ||
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | ||
安装类型 | 底座安装 | ||
封装/外壳 | SOT-227-4,miniBLOC | ||
可售卖地 | 全国 | ||
类型 | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - | ||
型号 | IXFN132N50P3 |