产品参数 | |||
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品牌 | DIODES | ||
封装 | SOT-23 | ||
批号 | 2302 | ||
数量 | 150000 | ||
制造商 | Diodes Incorporated | ||
产品种类 | MOSFET | ||
RoHS | 是 | ||
安装风格 | SMD/SMT | ||
封装 / 箱体 | SOT-23-3 | ||
晶体管极性 | P-Channel | ||
通道数量 | 1 Channel | ||
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V | ||
Id-连续漏极电流 | 35 mA | ||
Rds On-漏源导通电阻 | 80 Ohms | ||
Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V | ||
Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.5 V | ||
最小工作温度 | - 55 C | ||
最大工作温度 | 150 C | ||
Pd-功率耗散 | 350 mW | ||
通道模式 | Enhancement | ||
配置 | Single | ||
高度 | 1.02 mm | ||
长度 | 3.04 mm | ||
系列 | ZVP1320 | ||
晶体管类型 | 1 P-Channel | ||
宽度 | 1.4 mm | ||
正向跨导 - 最小值 | 25 mS | ||
下降时间 | 16 ns | ||
上升时间 | 8 ns | ||
典型关闭延迟时间 | 8 ns | ||
典型接通延迟时间 | 8 ns | ||
单位重量 | 8 mg | ||
可售卖地 | 全国 | ||
型号 |
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