产品简介
NVF2955T1G
NVF2955T1G
产品价格:¥2.2580
上架日期:2023-10-02 16:26:27
产地:广东省深圳市
发货地:广东省深圳市
供应数量:不限
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详细说明
    产品参数
    品牌ON
    封装SOT-223
    批号1836
    数量22000
    制造商onsemi
    产品种类MOSFET
    RoHS
    安装风格SMD/SMT
    封装 / 箱体SOT-223-3
    晶体管极性P-Channel
    通道数量1 Channel
    Vds-漏源极击穿电压60 V
    Id-连续漏极电流2.6 A
    Rds On-漏源导通电阻154 mOhms
    Vgs - 栅极-源极电压- 20 V
    20 V
    Vgs th-栅源极阈值电压4 V
    Qg-栅极电荷14.3 nC
    最小工作温度- 55 C
    最大工作温度 175 C
    Pd-功率耗散2.3 W
    通道模式Enhancement
    资格AEC-Q101
    配置Single
    下降时间38 ns
    正向跨导 - 最小值1.77 S
    上升时间7.6 ns
    系列NTF2955
    晶体管类型65 ns
    典型关闭延迟时间11 ns
    典型接通延迟时间250 mg
    可售卖地全国
    型号


    技术参数

    品牌:ON
    型号:NVF2955T1G
    封装:SOT-223
    批号:1836
    数量:22000
    制造商:onsemi
    产品种类:MOSFET
    RoHS:
    安装风格:SMD/SMT
    封装 / 箱体:SOT-223-3
    晶体管极性:P-Channel
    通道数量:1 Channel
    Vds-漏源极击穿电压:60 V
    Id-连续漏极电流:2.6 A
    Rds On-漏源导通电阻:154 mOhms
    Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, 20 V
    Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
    Qg-栅极电荷:14.3 nC
    最小工作温度:- 55 C
    最大工作温度: 175 C
    Pd-功率耗散:2.3 W
    通道模式:Enhancement
    资格:AEC-Q101
    配置:Single
    下降时间:38 ns
    正向跨导 - 最小值:1.77 S
    上升时间:7.6 ns
    系列:NTF2955
    晶体管类型:65 ns
    典型关闭延迟时间:11 ns
    典型接通延迟时间:250 mg
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