产品参数 | |||
---|---|---|---|
品牌 | ON | ||
封装 | SOT-223 | ||
批号 | 1836 | ||
数量 | 22000 | ||
制造商 | onsemi | ||
产品种类 | MOSFET | ||
RoHS | 是 | ||
安装风格 | SMD/SMT | ||
封装 / 箱体 | SOT-223-3 | ||
晶体管极性 | P-Channel | ||
通道数量 | 1 Channel | ||
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V | ||
Id-连续漏极电流 | 2.6 A | ||
Rds On-漏源导通电阻 | 154 mOhms | ||
Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V | ||
20 V | |||
Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V | ||
Qg-栅极电荷 | 14.3 nC | ||
最小工作温度 | - 55 C | ||
最大工作温度 | 175 C | ||
Pd-功率耗散 | 2.3 W | ||
通道模式 | Enhancement | ||
资格 | AEC-Q101 | ||
配置 | Single | ||
下降时间 | 38 ns | ||
正向跨导 - 最小值 | 1.77 S | ||
上升时间 | 7.6 ns | ||
系列 | NTF2955 | ||
晶体管类型 | 65 ns | ||
典型关闭延迟时间 | 11 ns | ||
典型接通延迟时间 | 250 mg | ||
可售卖地 | 全国 | ||
型号 |
品牌: | ON |
型号: | NVF2955T1G |
封装: | SOT-223 |
批号: | 1836 |
数量: | 22000 |
制造商: | onsemi |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-223-3 |
晶体管极性: | P-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 2.6 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 154 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 4 V |
Qg-栅极电荷: | 14.3 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
最大工作温度: | 175 C |
Pd-功率耗散: | 2.3 W |
通道模式: | Enhancement |
资格: | AEC-Q101 |
配置: | Single |
下降时间: | 38 ns |
正向跨导 - 最小值: | 1.77 S |
上升时间: | 7.6 ns |
系列: | NTF2955 |
晶体管类型: | 65 ns |
典型关闭延迟时间: | 11 ns |
典型接通延迟时间: | 250 mg |