产品简介
MUN5211DW1T1G
MUN5211DW1T1G
产品价格:¥0.1560
上架日期:2023-10-02 16:26:21
产地:广东省深圳市
发货地:广东省深圳市
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详细说明
    产品参数
    品牌ON
    封装SC-70-6(SOT-363)
    批号19
    数量737000
    制造商onsemi
    产品种类双极晶体管 - 预偏置
    RoHS
    配置Dual
    晶体管极性NPN
    典型输入电阻器10 kOhms
    典型电阻器比率1
    安装风格SMD/SMT
    封装 / 箱体SOT-363-6
    直流集电极/Base Gain hfe Min35
    集电极连续电流0.1 A
    峰值直流集电极电流100 mA
    Pd-功率耗散187 mW
    最小工作温度- 55 C
    最大工作温度 150 C
    系列MUN5211DW1
    直流电流增益 hFE 最大值35
    高度0.9 mm
    长度2 mm
    宽度12 mg
    可售卖地全国
    型号


    技术参数

    品牌:ON
    型号:MUN5211DW1T1G
    封装:SC-70-6(SOT-363)
    批号:19
    数量:737000
    制造商:onsemi
    产品种类:双极晶体管 - 预偏置
    RoHS:
    配置:Dual
    晶体管极性:NPN
    典型输入电阻器:10 kOhms
    典型电阻器比率:1
    安装风格:SMD/SMT
    封装 / 箱体:SOT-363-6
    直流集电极/Base Gain hfe Min:35
    集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V
    集电极连续电流:0.1 A
    峰值直流集电极电流:100 mA
    Pd-功率耗散:187 mW
    最小工作温度:- 55 C
    最大工作温度: 150 C
    系列:MUN5211DW1
    直流电流增益 hFE 最大值:35
    高度:0.9 mm
    长度:2 mm
    宽度:12 mg
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