产品简介
CPH3362-TL-W
CPH3362-TL-W
产品价格:¥0.5990
上架日期:2023-10-02 16:26:11
产地:广东省深圳市
发货地:广东省深圳市
供应数量:不限
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详细说明
    产品参数
    品牌ON
    封装SOT-23-5
    批号19
    数量18000
    制造商ON Semiconductor
    产品种类MOSFET
    RoHS
    安装风格SMD/SMT
    封装 / 箱体SOT-23-3
    通道数量1 Channel
    晶体管极性P-Channel
    Vds-漏源极击穿电压100 V
    Id-连续漏极电流700 mA
    Rds On-漏源导通电阻2.1 Ohms
    Vgs - 栅极-源极电压4 V
    Vgs th-栅源极阈值电压1.2 V
    Qg-栅极电荷3.7 nC
    最大工作温度 150 C
    Pd-功率耗散1 W
    配置Single
    通道模式Enhancement
    系列CPH3362
    晶体管类型1 P-Channel
    正向跨导 - 最小值1 S
    下降时间12 ns
    上升时间3.4 ns
    典型关闭延迟时间28 ns
    典型接通延迟时间3.9 ns
    单位重量8 mg
    可售卖地全国
    型号


    技术参数

    品牌:ON
    型号:CPH3362-TL-W
    封装:SOT-23-5
    批号:19
    数量:18000
    制造商:ON Semiconductor
    产品种类:MOSFET
    RoHS:
    安装风格:SMD/SMT
    封装 / 箱体:SOT-23-3
    通道数量:1 Channel
    晶体管极性:P-Channel
    Vds-漏源极击穿电压:100 V
    Id-连续漏极电流:700 mA
    Rds On-漏源导通电阻:2.1 Ohms
    Vgs - 栅极-源极电压:4 V
    Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V
    Qg-栅极电荷:3.7 nC
    最大工作温度: 150 C
    Pd-功率耗散:1 W
    配置:Single
    通道模式:Enhancement
    系列:CPH3362
    晶体管类型:1 P-Channel
    正向跨导 - 最小值:1 S
    下降时间:12 ns
    上升时间:3.4 ns
    典型关闭延迟时间:28 ns
    典型接通延迟时间:3.9 ns
    单位重量:8 mg
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