产品参数 | |||
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品牌 | ON | ||
封装 | 8-PowerWDFN | ||
批号 | 19 | ||
数量 | 54000 | ||
制造商 | onsemi | ||
系列 | PowerTrench? | ||
FET 类型 | 2 N-通道(双) | ||
FET 功能 | 逻辑电平门 | ||
漏源电压(Vdss) | 40V | ||
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A | ||
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 250μA | ||
功率 - 最大值 | 800mW | ||
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | ||
安装类型 | 表面贴装型 | ||
封装/外壳 | 8-PowerWDFN | ||
可售卖地 | 全国 | ||
类型 | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - | ||
型号 |
品牌: | ON |
型号: | FDMC8030 |
封装: | 8-PowerWDFN |
批号: | 19 |
数量: | 54000 |
类别: | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 |
制造商: | onsemi |
系列: | PowerTrench? |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 40V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 12A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 10 毫欧 @ 12A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.8V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): | 30nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1975pF @ 20V |
功率 - 最大值: | 800mW |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerWDFN |