产品简介
NTR2101PT1G
NTR2101PT1G
产品价格:¥0.2780
上架日期:2023-10-02 16:25:42
产地:广东省深圳市
发货地:广东省深圳市
供应数量:不限
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详细说明
    产品参数
    品牌ON
    封装SOT-23(SOT-23-3)
    批号19
    数量72000
    制造商ON Semiconductor
    产品种类MOSFET
    RoHS
    安装风格SMD/SMT
    封装 / 箱体SOT-23-3
    通道数量1 Channel
    晶体管极性P-Channel
    Vds-漏源极击穿电压8 V
    Id-连续漏极电流3.7 A
    Rds On-漏源导通电阻120 mOhms
    Vgs - 栅极-源极电压8 V
    Vgs th-栅源极阈值电压- 1 V
    Qg-栅极电荷12 nC
    最小工作温度- 55 C
    最大工作温度 150 C
    Pd-功率耗散960 mW
    配置Single
    通道模式Enhancement
    高度0.94 mm
    长度2.9 mm
    系列NTR2101P
    晶体管类型1 P-Channel
    宽度1.3 mm
    正向跨导 - 最小值9 S
    下降时间31 ns
    上升时间15.75 ns
    典型关闭延迟时间38 ns
    典型接通延迟时间7.4 ns
    单位重量8 mg
    可售卖地全国
    型号


    技术参数

    品牌:ON
    型号:NTR2101PT1G
    封装:SOT-23(SOT-23-3)
    批号:19
    数量:72000
    制造商:ON Semiconductor
    产品种类:MOSFET
    RoHS:
    安装风格:SMD/SMT
    封装 / 箱体:SOT-23-3
    通道数量:1 Channel
    晶体管极性:P-Channel
    Vds-漏源极击穿电压:8 V
    Id-连续漏极电流:3.7 A
    Rds On-漏源导通电阻:120 mOhms
    Vgs - 栅极-源极电压:8 V
    Vgs th-栅源极阈值电压:- 1 V
    Qg-栅极电荷:12 nC
    最小工作温度:- 55 C
    最大工作温度: 150 C
    Pd-功率耗散:960 mW
    配置:Single
    通道模式:Enhancement
    高度:0.94 mm
    长度:2.9 mm
    系列:NTR2101P
    晶体管类型:1 P-Channel
    宽度:1.3 mm
    正向跨导 - 最小值:9 S
    下降时间:31 ns
    上升时间:15.75 ns
    典型关闭延迟时间:38 ns
    典型接通延迟时间:7.4 ns
    单位重量:8 mg
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