产品简介
详细说明
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | ON | ||
| 封装 | TO-247-3 | ||
| 批号 | 19 | ||
| 数量 | 30150 | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | ||
| 产品种类 | IGBT 晶体管 | ||
| RoHS | 是 | ||
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 | ||
| 安装风格 | Through Hole | ||
| 配置 | Single | ||
| 集电极—射极饱和电压 | 2.45 V | ||
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V | ||
| 在25 C的连续集电极电流 | 21 A | ||
| Pd-功率耗散 | 167 W | ||
| 最小工作温度 | - 55 C | ||
| 最大工作温度 | 150 C | ||
| 系列 | |||
| 集电极最大连续电流 Ic | 21 A | ||
| 高度 | 20.82 mm | ||
| 长度 | 15.87 mm | ||
| 宽度 | 4.82 mm | ||
| 集电极连续电流 | 21 A | ||
| 栅极—射极漏泄电流 | /- 250 nA | ||
| 零件号别名 | _NL | ||
| 单位重量 | 6.390 g | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | |||
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技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | HGTG5N120BND |
| 封装： | TO-247-3 |
| 批号： | 19 |
| 数量： | 30150 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | IGBT 晶体管 |
| RoHS： | 是 |
| 封装 / 箱体： | TO-247-3 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 配置： | Single |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 2.45 V |
| 栅极/发射极最大电压： | 20 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 21 A |
| Pd-功率耗散： | 167 W |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | 150 C |
| 系列： | HGTG5N120BND |
| 集电极最大连续电流 Ic： | 21 A |
| 高度： | 20.82 mm |
| 长度： | 15.87 mm |
| 宽度： | 4.82 mm |
| 集电极连续电流： | 21 A |
| 栅极—射极漏泄电流： | /- 250 nA |
| 零件号别名： | HGTG5N120BND_NL |
| 单位重量： | 6.390 g |
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