产品简介
INFINEON场效应管IRF3205PBFMOSFETMOSFT55V98A8mOhm97.3nC
INFINEON场效应管IRF3205PBFMOSFETMOSFT55V98A8mOhm97.3nC
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上架日期:2023-10-02 16:24:49
产地:广东省深圳市
发货地:广东省深圳市
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详细说明
    产品参数
    品牌INFINEON
    封装TO-220(TO-220-3)
    批号1920
    数量8000
    制造商Infineon
    产品种类MOSFET
    RoHS
    安装风格Through Hole
    封装 / 箱体TO-220-3
    晶体管极性N-Channel
    通道数量1 Channel
    Vds-漏源极击穿电压55 V
    Id-连续漏极电流110 A
    Rds On-漏源导通电阻8 mOhms
    Vgs - 栅极-源极电压- 20 V
    20 V
    Vgs th-栅源极阈值电压2 V
    Qg-栅极电荷97.3 nC
    最小工作温度- 55 C
    最大工作温度 175 C
    Pd-功率耗散150 W
    通道模式Enhancement
    配置Single
    高度15.65 mm
    长度10 mm
    晶体管类型4.4 mm
    宽度IRF3205PBF SP001559536
    零件号别名2 g
    可售卖地全国
    型号IRF3205PBF


    技术参数

    品牌:INFINEON
    型号:IRF3205PBF
    封装:TO-220(TO-220-3)
    批号:1920
    数量:8000
    制造商:Infineon
    产品种类:MOSFET
    RoHS:
    安装风格:Through Hole
    封装 / 箱体:TO-220-3
    晶体管极性:N-Channel
    通道数量:1 Channel
    Vds-漏源极击穿电压:55 V
    Id-连续漏极电流:110 A
    Rds On-漏源导通电阻:8 mOhms
    Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, 20 V
    Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
    Qg-栅极电荷:97.3 nC
    最小工作温度:- 55 C
    最大工作温度: 175 C
    Pd-功率耗散:150 W
    通道模式:Enhancement
    配置:Single
    高度:15.65 mm
    长度:10 mm
    晶体管类型:4.4 mm
    宽度:IRF3205PBF SP001559536
    零件号别名:2 g
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